Diferencia entre SRAM y DRAM
Contenido
- Cuadro comparativo
- Definición de SRAM
- Funcionamiento de SRAM para una célula individual:
- Definición de DRAM
- Funcionamiento de la celda DRAM típica:
- Conclusión
SRAM y DRAM son los modos de RAM de circuito integrado donde SRAM usa transistores y pestillos en la construcción, mientras que DRAM usa condensadores y transistores. Estos se pueden diferenciar de muchas maneras, como SRAM es comparativamente más rápido que DRAM; por lo tanto, SRAM se usa para la memoria caché, mientras que DRAM se usa para la memoria principal.
RAM (memoria de acceso aleatorio) es un tipo de memoria que necesita energía constante para retener los datos que contiene, una vez que se interrumpe la fuente de alimentación, los datos se perderán, por eso se conoce como memoria volatil. Leer y escribir en RAM es fácil y rápido y se logra mediante señales eléctricas.
- Cuadro comparativo
- Definición
- Diferencias clave
- Conclusión
Cuadro comparativo
| Bases para la comparación | SRAM | DRACMA |
|---|---|---|
| Velocidad | Más rápido | Más lento |
| tamaño | Pequeño | Grande |
| Costo | Costoso | Barato |
| Utilizado en | Memoria caché | Memoria principal |
| Densidad | Menos denso | Muy denso |
| Construcción | Complejo y utiliza transistores y pestillos. | Simple y utiliza condensadores y muy pocos transistores. |
| Solo bloque de memoria requiere | 6 transistores | Solo un transistor. |
| Propiedad de fuga de carga | No presente | Presente, por lo tanto, requiere circuitos de actualización de energía |
| El consumo de energía | Bajo | Alto |
Definición de SRAM
SRAM (memoria estática de acceso aleatorio) se compone de Tecnología CMOS y usa seis transistores. Su construcción se compone de dos inversores de acoplamiento cruzado para almacenar datos (binarios) similares a flip-flops y dos transistores adicionales para el control de acceso. Es relativamente más rápido que otros tipos de RAM como DRAM. Consume menos energía. SRAM puede retener los datos mientras se le suministre energía.
Funcionamiento de SRAM para una célula individual:
Para generar un estado lógico estable, cuatro transistores (T1, T2, T3, T4) se organizan de forma cruzada. Para generar el estado lógico 1, nodoC1 es alto y C2 es bajo; en este estado, T1 y T4 están apagados y T2 y T3 están en. Para el estado lógico 0, unión C1 es bajo y C2 es alto; en el estado dado T1 y T4 están en y T2 y T3 están fuera. Ambos estados son estables hasta que se aplica el voltaje de corriente continua (cc).
La SRAM dirección se opera para abrir y cerrar el interruptor y para controlar los transistores T5 y T6 que permiten leer y escribir. Para la operación de lectura, la señal se aplica a estas líneas de dirección, luego T5 y T6 se activan, y el valor de bit se lee desde la línea B. Para la operación de escritura, la señal se emplea para B línea de bits, y su complemento se aplica a B '.
Definición de DRAM
DRAM (memoria dinámica de acceso aleatorio) También es un tipo de RAM que se construye con condensadores y pocos transistores. El condensador se utiliza para almacenar los datos donde el valor de bit 1 significa que el condensador está cargado y un valor de bit 0 significa que el condensador está descargado. El condensador tiende a descargarse, lo que resulta en fugas de cargas.
El término dinámico indica que las cargas tienen fugas continuas incluso en presencia de energía continua suministrada, esa es la razón por la que consume más energía. Para retener los datos durante mucho tiempo, debe actualizarse repetidamente, lo que requiere circuitos de actualización adicionales. Debido a la fuga de carga, la DRAM pierde datos incluso si la alimentación está encendida. DRAM está disponible en la mayor cantidad de capacidad y es menos costoso. Requiere solo un transistor único para el bloque de memoria único.
Funcionamiento de la celda DRAM típica:
En el momento de leer y escribir el valor de bit de la celda, se activa la línea de dirección. El transistor presente en el circuito se comporta como un interruptor que es cerrado (permitiendo que fluya la corriente) si se aplica un voltaje a la línea de dirección y abierto (no fluye corriente) si no se aplica voltaje a la línea de dirección. Para la operación de escritura, se emplea una señal de voltaje en la línea de bits donde el alto voltaje muestra 1, y el bajo voltaje indica 0. Luego se usa una señal en la línea de dirección que permite transferir la carga al condensador.
Cuando se elige la línea de dirección para ejecutar la operación de lectura, el transistor se enciende y la carga almacenada en el condensador se suministra a una línea de bits y a un amplificador de detección.
- SRAM es un en chip memoria cuyo tiempo de acceso es pequeño mientras DRAM es un fuera de chip memoria que tiene un gran tiempo de acceso. Por lo tanto, SRAM es más rápido que DRAM.
- DRAM está disponible en mas grande capacidad de almacenamiento mientras SRAM es de menor tamaño.
- SRAM es costoso mientras que DRAM es barato.
- los memoria caché es una aplicación de SRAM. En contraste, DRAM se usa en memoria principal.
- DRAM es altamente denso. Por el contrario, SRAM es más raro.
- La construcción de SRAM es complejo debido al uso de una gran cantidad de transistores. Por el contrario, DRAM es simple para diseñar e implementar.
- En SRAM, un solo bloque de memoria requiere seis mientras que DRAM necesita solo un transistor para un solo bloque de memoria.
- DRAM se denomina dinámico porque utiliza un condensador que produce corriente de fuga Debido a que el dieléctrico utilizado dentro del condensador para separar las placas conductoras no es un aislante perfecto, por lo tanto, requiere circuitos de actualización de potencia. Por otro lado, no hay problema de fuga de carga en la SRAM.
- El consumo de energía es mayor en DRAM que en SRAM. La SRAM funciona según el principio de cambiar la dirección de la corriente a través de los interruptores, mientras que la DRAM funciona para retener las cargas.
Conclusión
DRAM es descendiente de SRAM. DRAM está diseñado para superar las desventajas de SRAM; Los diseñadores han reducido los elementos de memoria utilizados en un bit de memoria, lo que redujo significativamente el costo de DRAM y aumentó el área de almacenamiento. Pero, la DRAM es lenta y consume más energía que la SRAM, necesita actualizarse con frecuencia en pocos milisegundos para retener las cargas.
